セラミックパッケージ及び放熱基板

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：後藤洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994184629
Publication number (International publication number)：1996051172
Application date： Aug. 05, 1994
Publication date： Feb. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】セラミックパッケージに適した熱伝導率及び熱膨張係数を有すると共に、加工性に優れ、且つ、安価な異形形状を有する放熱基板を提案する。【構成】銅が40wt%となるようにモリブデン粉と十分混合し、プレス成形後、水素中で1250°C×2時間焼結したものを、熱間圧延・冷間圧延を施して、厚さ1.2mmと2.3mmの板材を作製した。熱放熱基板としての熱特性は、密度9.6g/cm3 、熱伝導率237w/m・k、熱膨張係数9.1×10-6/°Cを得た。この後、ニッケルめっきを施し、セラミックパッケージの中の部品として組み立てた。図は、中央に凸部4を形成し、ここに半導体チップ5を搭載する形式の異形放熱基板1を示す。

Claim (excerpt)：

半導体装置を搭載するのに使用されるセラミックパッケージにおいて、銅及びモリブデンの粉末を混合し、焼結し、圧延して形成され、200w/m・k以上の熱伝導率、9〜16×10-6/°Cの熱膨張係数を備え、且つ、異形形状に加工された放熱基板を具備していることを特徴とするセラミックパッケージ。

IPC (3)：

H01L 23/373 , H01L 23/12 , H01L 23/15

FI (3)：

H01L 23/36 M , H01L 23/12 J , H01L 23/14 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体パッケージ用放熱部材の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-076018 Applicant：日新製鋼株式会社
半導体装置用基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-325582 Applicant：住友電気工業株式会社
放熱基板材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-252095 Applicant：東邦金属株式会社

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