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J-GLOBAL ID：200903017749285180

導電性パターン形成方法、及びワイヤグリッド型偏光子

Inventor：
川村 浩一

About 川村 浩一


Applicant, Patent owner：
富士フイルム株式会社

About 富士フイルム株式会社


Agent (4)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006170490
Publication number (International publication number)：2008004304
Application date： Jun. 20, 2006
Publication date： Jan. 10, 2008
Summary：
【課題】超微細な導電性パターンを容易に形成しうる導電性パターン形成方法を提供すること。偏光度に優れたワイヤグリッド型偏光子を提供すること。【解決手段】光開裂によりラジカル重合を開始しうる光重合開始部位と基材結合部位とを有する化合物を基材に結合させる工程と、パターン露光を行い、露光領域の該光重合開始部位を失活させる工程と、前記基材上にラジカル重合可能な不飽和化合物を接触させた後、該ラジカル重合可能な不飽和化合物が光吸収しない波長の光のみで全面露光を行い、前記パターン露光時における非露光領域に残存した該光重合開始部位に光開裂を生起させ、ラジカル重合を開始させることでグラフトポリマーを生成させる工程と、該グラフトポリマーに導電性素材を付与して、導電性発現層を形成する工程と、をこの順に行うことを特徴とする導電性パターン形成方法、及び該導電性パターン形成方法により得られたワイヤグリッド型偏光子。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
光開裂によりラジカル重合を開始しうる光重合開始部位と基材結合部位とを有する化合物を基材に結合させる工程と、 パターン露光を行い、露光領域の該光重合開始部位を失活させる工程と、 前記基材上にラジカル重合可能な不飽和化合物を接触させた後、該ラジカル重合可能な不飽和化合物が光吸収しない波長の光のみで全面露光を行い、前記パターン露光時における非露光領域に残存した該光重合開始部位に光開裂を生起させ、ラジカル重合を開始させることでグラフトポリマーを生成させる工程と、 該グラフトポリマーに導電性素材を付与して、導電性発現層を形成する工程と、 をこの順に行うことを特徴とする導電性パターン形成方法。
IPC (4)：
H01B 13/00 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/26 ,  G02B 5/30
FI (4)：
H01B13/00 503D ,  G03F7/004 521 ,  G03F7/26 ,  G02B5/30
F-Term (18)：
2H025AB14 ,  2H025AB17 ,  2H025AB20 ,  2H025AC01 ,  2H025AD01 ,  2H025BH03 ,  2H049BA02 ,  2H049BA45 ,  2H049BB42 ,  2H049BC08 ,  2H096AA27 ,  2H096AA28 ,  2H096AA30 ,  2H096BA05 ,  2H096CA05 ,  2H096DA10 ,  2H096JA02 ,  5G323CA05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)

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