窒化物半導体レーザ素子、その製造方法および半導体光学装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：佐野静夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001330181
Publication number (International publication number)：2003133650
Application date： Oct. 29, 2001
Publication date： May. 09, 2003
Summary：

【要約】【課題】レーザ発振寿命の長い窒化物半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】本発明の半導体レーザ素子は、窒化物半導体基板とその上に積層された窒化物半導体層より成る。基板はストライプ状の転位集中領域と転位集中領域を除いた領域である低転位領域を有し、窒化物半導体層はストライプ状のレーザ光導波領域を有する。レーザ光導波領域は低転位領域上に設けられており、転位集中領域と略平行である。レーザ光導波領域と最近接の転位集中領域との水平方向の距離は40μm以上である。

Claim (excerpt)：

窒化物半導体基板と、その上に積層された窒化物半導体層を備える窒化物半導体レーザ素子であって、窒化物半導体基板がストライプ状の転位集中領域と、転位集中領域を除いた領域である低転位領域とを有し、窒化物半導体層がストライプ状のレーザ光導波領域を有し、レーザ光導波領域が低転位領域上に位置して転位集中領域と略平行であり、レーザ光導波領域とこれに最近接の転位集中領域との水平方向の距離dが40μm以上であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (3)：

H01S 5/343 610 , H01S 5/223 , H01S 5/24

FI (3)：

H01S 5/343 610 , H01S 5/223 , H01S 5/24

F-Term (10)：

5F073AA13 , 5F073AA20 , 5F073AA51 , 5F073AA74 , 5F073AA89 , 5F073BA06 , 5F073CA07 , 5F073CB18 , 5F073EA24 , 5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-017980 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-085198 Applicant：日本電気株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-270988 Applicant：シャープ株式会社

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