窒化物半導体発光素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋詔男 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000085198
Publication number (International publication number)：2001274521
Application date： Mar. 24, 2000
Publication date： Oct. 05, 2001
Summary：

【要約】【課題】窒化物半導体発光素子において、高温・高出力動作での素子寿命を飛躍的に改善し、さらに長時間の素子寿命を実現すること。【解決手段】井戸層と障壁層とが積層されてなる量子井戸構造の活性層110を有する窒化物半導体発光素子であって、前記活性層は、互いに転位密度が異なる高転位密度領域116と低転位密度領域104とを有し、前記低転位密度領域は、前記高転位密度領域より転位密度が低いと共に少なくとも一部に電流注入領域が形成され、前記活性層の不純物濃度が1018cm-3未満である。

Claim (excerpt)：

井戸層と障壁層とが積層されてなる量子井戸構造の活性層を有する窒化物半導体発光素子であって、前記活性層は、互いに転位密度が異なる高転位密度領域と低転位密度領域とを有し、前記低転位密度領域は、前記高転位密度領域より転位密度が低いと共に少なくとも一部に電流注入領域が形成され、前記活性層の不純物濃度が1018cm-3未満であることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 5/343 , H01S 5/183

FI (2)：

H01S 5/343 , H01S 5/183

F-Term (11)：

5F073AA51 , 5F073AA65 , 5F073AA71 , 5F073AA74 , 5F073AB17 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073DA05 , 5F073DA07 , 5F073DA35 , 5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-242204 Applicant：ソニー株式会社
窒化ガリウム系半導体レーザ素子及び光ピックアップ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-220221 Applicant：シャープ株式会社
窒化物系半導体素子、発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-256088 Applicant：株式会社東芝

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