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J-GLOBAL ID：200903017799957740

エッチング方法

Inventor： 秋本 裕二 ,  鈴木 健一郎 ,  木村 英和 ,  富高 奉文
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 畑 泰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999152592
Publication number (International publication number)：2000340541
Application date： May. 31, 1999
Publication date： Dec. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】 容易なエッチング量の制御、鏡面性の高いエッチング面、選択比の向上による高精度なシリコン等方性エッチング法を提供する。【解決手段】 所定のシリコン部材11の表面に、所定のパターンを形成するに際し、エッチング液13を含む処理槽12内に、当該シリコン部材11の被エッチング表面14が当該エッチング液の液面15に対して垂直或いは略垂直となるように配置し、当該エッチング液13を静止状態に維持したままで、当該シリコン部材11の中心部を通り、当該シリコン部材表面に対して直交する仮想中心線16を中心として、当該シリコン部材11を低速度で回転させる様に構成されたエッチング方法。

Claim (excerpt)：

所定のシリコン部材表面に、所定のパターンを形成するに際し、エッチング液を含む処理槽内に、当該シリコン部材の被エッチング表面が当該エッチング液の液面に対して垂直或いは略垂直となるように配置し、当該エッチング液を静止状態に維持したままで、当該シリコン部材の中心部を通り、当該シリコン部材表面に対して直交する仮想中心線を中心として、当該シリコン部材を低速度で回転させる事を特徴とするエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/306 ,  C23F 1/08 104

FI (3)：

H01L 21/306 B ,  C23F 1/08 104 ,  H01L 21/306 J

F-Term (20)：

4K057WA04 ,  4K057WB06 ,  4K057WD10 ,  4K057WE02 ,  4K057WE07 ,  4K057WE12 ,  4K057WG10 ,  4K057WM01 ,  4K057WM11 ,  4K057WM13 ,  4K057WN01 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD30 ,  5F043EE04 ,  5F043EE08 ,  5F043EE35 ,  5F043FF01 ,  5F043FF07 ,  5F043FF10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• シリコン薄膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-133155   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平1-300526
  
• メツキ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-214544   Applicant：田中貴金属工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-246976   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開平1-300526