Pat

J-GLOBAL ID：200903017816005138

光電面及び光検出器

Inventor： 角谷 正友 ,  福家 俊郎 ,  二橋 得明 ,  萩野 實
Applicant, Patent owner： 国立大学法人静岡大学 ,  浜松ホトニクス株式会社
Agent (3)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  石田 悟
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005358050
Publication number (International publication number)：2007165478
Application date： Dec. 12, 2005
Publication date： Jun. 28, 2007
Summary：

【課題】量子効率の高い光電面及びこれを用いた光検出器を提供する。【解決手段】光電面10は、紫外線Lの入射に応じて光電子を生成する第1のIII族窒化物半導体層8と、III族窒化物半導体層8に隣接して設けられており、III族窒化物半導体層8のAl組成よりも高いAl組成を有すると共に、厚み方向にc軸配向性を有する薄膜結晶からなる第2のIII族窒化物半導体層6とを備える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

紫外線の入射に応じて光電子を生成する第1のIII族窒化物半導体層と、 前記第1のIII族窒化物半導体層に隣接して設けられており、前記第1のIII族窒化物半導体層のAl組成よりも高いAl組成を有すると共に、厚み方向にc軸配向性を有する薄膜結晶からなる第2のIII族窒化物半導体層と、 を備える、光電面。

IPC (1)：

H01L 31/09

FI (1)：

H01L31/00 A

F-Term (10)：

5F088AB01 ,  5F088AB02 ,  5F088AB07 ,  5F088BA01 ,  5F088BB06 ,  5F088BB10 ,  5F088CB04 ,  5F088DA01 ,  5F088GA04 ,  5F088LA05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 光電陰極
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-046398   Applicant：浜松ホトニクス株式会社

Cited by examiner (4)

• 半導体光電陰極及び光電管
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-231317   Applicant：浜松ホトニクス株式会社
• 光電子放出面及びそれを用いた電子管
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-311753   Applicant：浜松ホトニクス株式会社
• 半導体受光器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-136942   Applicant：日本電信電話株式会社
• 半導体受光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-109950   Applicant：日本電信電話株式会社