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J-GLOBAL ID：200903086633851473

半導体受光素子

Inventor： 熊谷 雅美 ,  斎藤 正 ,  安藤 弘明 ,  小林 直樹
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 谷 義一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000109950
Publication number (International publication number)：2001298210
Application date： Apr. 11, 2000
Publication date： Oct. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】 紫外域半導体受光素子に関し、低動作バイアス電圧で動作させること。【解決手段】 結晶の成長方向は[0001]に行う。pin構造を形成するp型GaN層22は、サファイア基板10との格子不整合による歪を同層22内で緩和するために数ミクロン程度の厚さに形成する。続いて、p型GaN層22の上にi型AlGaN層24を形成する。さらに、i型AlGaN層24の上にn型GaN層26を形成する。各層22,24,26はウルツ鉱型構造を有している。i型AlGaN層24は直下のp型GaN層22よりも小さな格子定数を持つ半導体材料で形成されている。

Claim (excerpt)：

基板上の[0001]方向にp層、i層、n層の順序で堆積したウルツ鉱型半導体を用いた層構造を有する半導体受光素子において、前記p層および前記n層は前記i層より格子定数が大きいことを特徴とする半導体受光素子。

IPC (2)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/14

FI (2)：

H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 K

F-Term (16)：

4M118AA10 ,  4M118AB10 ,  4M118BA06 ,  4M118CA05 ,  4M118CB01 ,  4M118CB14 ,  4M118GA10 ,  5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049NA13 ,  5F049SE05 ,  5F049SS01 ,  5F049SS07 ,  5F049SS09 ,  5F049UA11 ,  5F049WA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 窒化ガリウム系化合物半導体受光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-178998   Applicant：シャープ株式会社
• GaN系半導体発光素子およびGaN系半導体受光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-346237   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体受光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-078294   Applicant：日亜化学工業株式会社