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J-GLOBAL ID：200903017825083907

光検出素子

Inventor： 石 勉
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (3)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005316330
Publication number (International publication number)：2007121194
Application date： Oct. 31, 2005
Publication date： May. 17, 2007
Summary：

【課題】短波長化された光源に対しても受光感度が低下することなく、かつ応答速度が低下しない光検出素子を提供する。【解決手段】強誘電体表面に遮光性を有する電極21を設けて、所定の光強度の複数の単位領域と該複数の単位領域よりも光強度が小さい領域とに分割し、電極間にバイアス電圧を印加することで光強度の大きな部分においてのみ分極変化を起こすことで変位電流を生じさせる構成とすることで、高い受光感度を有した高い応答速度の光検出器とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

強誘電体と、 前記強誘電体の表面を、所定の光強度の複数の単位領域と、該複数の単位領域よりも光強度が小さい領域とに分割する光強度分布器と、 を有する光検出素子。

IPC (5)：

G01J 1/02 ,  G11B 7/13 ,  H01L 27/146 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/09

FI (5)：

G01J1/02 R ,  G11B7/13 ,  H01L27/14 A ,  H01L27/14 D ,  H01L31/00 A

F-Term (38)：

2G065AB04 ,  2G065AB09 ,  2G065BA09 ,  2G065BA40 ,  2G065BB03 ,  2G065BB06 ,  2G065BE07 ,  2G065DA20 ,  4M118AA01 ,  4M118AA10 ,  4M118AB05 ,  4M118BA05 ,  4M118CA16 ,  4M118CA19 ,  4M118CB12 ,  4M118CB14 ,  4M118DD02 ,  4M118EA01 ,  4M118EA04 ,  4M118GA09 ,  4M118GB02 ,  4M118GD04 ,  5D789AA22 ,  5D789AA43 ,  5D789KA01 ,  5D789KA07 ,  5D789KA14 ,  5D789KA36 ,  5D789NA06 ,  5F088AA20 ,  5F088AB01 ,  5F088BA01 ,  5F088BA02 ,  5F088BB01 ,  5F088BB10 ,  5F088FA11 ,  5F088LA03 ,  5F088LA05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 有機強誘電体薄膜及び半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-161431   Applicant：科学技術振興事業団, 財団法人神奈川科学技術アカデミー
• 焦電センサーおよび光センサー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-057327   Applicant：松下電器産業株式会社

Cited by examiner (1)

• 放射熱を検出するための装置および該装置の製造方法並びに装置の適用
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-571060   Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト