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J-GLOBAL ID:200903017850491122

レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 好宮 幹夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005324006
Publication number (International publication number):2006215526
Application date: Nov. 08, 2005
Publication date: Aug. 17, 2006
Summary:
【課題】レジスト材料であって、高エネルギー線、特にはArFエキシマレーザー、F2エキシマレーザー、EUV、X線、EB等に対して高感度、高解像でラインエッジラフネスが小さく水への溶解がなく、かつ十分な熱安定性、保存安定性を有するポリマー型の酸発生剤を含有する高解像性レジスト材料を提供する。【解決手段】 少なくとも、重合性不飽和結合を有するスルホニウム塩、ラクトンまたはヒドロキシ基を密着性基として有する(メタ)アクリレート、酸不安定基で置換されたエステルを有する(メタ)アクリレートを共重合したものである高分子化合物を含むことを特徴とするレジスト材料。【選択図】なし
Claim (excerpt):
少なくとも、重合性不飽和結合を有するスルホニウム塩、ラクトンまたはヒドロキシ基を密着性基として有する(メタ)アクリレート、酸不安定基で置換されたエステルを有する(メタ)アクリレートを共重合したものである高分子化合物を含むことを特徴とするレジスト材料。
IPC (3):
G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027
FI (3):
G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  H01L21/30 502R
F-Term (13):
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC07 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA12
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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