液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：棚井澄雄 , 志賀正武 , 青山正和 , 鈴木三義 , 柳井則子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004367971
Publication number (International publication number)：2006171656
Application date： Dec. 20, 2004
Publication date： Jun. 29, 2006
Summary：

【課題】形状の良好なレジストパターンを形成できる液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する樹脂成分(A)を含む液浸露光用レジスト組成物であって、前記樹脂成分(A)が、放射線の照射により酸を発生する酸発生基を有する構成単位(a0)を有する高分子化合物(A1)を含有することを特徴とする液浸露光用レジスト組成物。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する樹脂成分(A)を含む液浸露光用レジスト組成物であって、前記樹脂成分(A)が、放射線の照射により酸を発生する酸発生基を有する構成単位(a0)を有する高分子化合物(A1)を含有することを特徴とする液浸露光用レジスト組成物。

IPC (4)：

G03F 7/004 , C08F 228/00 , G03F 7/039 , H01L 21/027

FI (4)：

G03F7/004 503A , C08F228/00 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

F-Term (23)：

2H025AA00 , 2H025AA03 , 2H025AC04 , 2H025AD03 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025FA03 , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100AL08S , 4J100BA03R , 4J100BA50S , 4J100BC09P , 4J100BC09R , 4J100BC43S , 4J100BC53Q , 4J100CA06 , 4J100DA01 , 4J100DA04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-320105 Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (10)

電子線又はX線用ポジ型レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-267329 Applicant：富士写真フイルム株式会社
パタン形成方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法並びに感放射線組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-265744 Applicant：株式会社日立製作所, 日立化成工業株式会社
特開平2-302758

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