放射線検出器

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西岡義明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000130192
Publication number (International publication number)：2001313384
Application date： Apr. 28, 2000
Publication date： Nov. 09, 2001
Summary：

【要約】【課題】高耐熱性のマトリックスプロセス基板を用い、広いダイナミックレンジと高いS/Nを有する放射線検出器を提供する。【解決手段】ポリシリコン(Poly-Si)プロセスで形成された多結晶シリコンTFTのスイッチング素子3、電荷蓄積容量2、絶縁層、各電極、ゲート線4、データ線5からなるアクティブマトリックス基板9を用い、300°C以上の成膜温度で、光や放射線に対して高い感度が期待できるCdTeやCdZnTe等の多結晶の変換層1を形成する。アクティブマトリックス基板9の同一面にゲート駆動回路6と信号読出回路7を設け、各画素の信号を、外部に走査して取出す。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に2次元格子状に行配列されたゲート線及びデータ線と、その各格子点毎に設けられ前記ゲート線及びデータ線と接続された複数の高速スイッチング素子と、その高速スイッチング素子のソース電極に接続された画素電極と、その画素電極と接地間に設けられた電荷蓄積容量とから構成されるアクティブマトリックス基板と、前記画素電極の上部に形成され光または放射線を吸収し電子-正孔対を発生する変換層とを備えた放射線検出器において、前記アクティブマトリックス基板にポリシリコン(Poly-Si)プロセスの基板を用いたことを特徴とする放射線検出器。

IPC (7)：

H01L 27/14 , G01T 1/24 , H01L 27/146 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 31/09 , H01L 31/0264

FI (6)：

G01T 1/24 , H01L 27/14 K , H01L 27/14 C , H01L 29/78 612 Z , H01L 31/00 A , H01L 31/08 L

F-Term (50)：

2G088EE01 , 2G088EE27 , 2G088FF02 , 2G088FF14 , 2G088GG21 , 2G088JJ05 , 2G088JJ37 , 2G088KK32 , 2G088LL11 , 2G088LL15 , 2G088LL18 , 4M118AA02 , 4M118AA05 , 4M118AB01 , 4M118BA07 , 4M118CA14 , 4M118CB05 , 4M118EA01 , 4M118EA14 , 4M118FB09 , 4M118FB13 , 4M118FB16 , 4M118GA10 , 5F088AA11 , 5F088AB09 , 5F088BA01 , 5F088BB07 , 5F088EA04 , 5F088EA08 , 5F088LA07 , 5F088LA08 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB10 , 5F110CC07 , 5F110FF02 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110HJ13 , 5F110HL03 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN62 , 5F110NN66 , 5F110NN71 , 5F110NN72

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

二次元画像検出器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-056144 Applicant：シャープ株式会社, 株式会社島津製作所
X線撮像装置及びX線診断装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-023573 Applicant：株式会社東芝
二次元画像検出器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-265325 Applicant：シャープ株式会社

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