シリコン表面からの自然酸化物のインシチュウ清浄化法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994174145
Publication number (International publication number)：1995165410
Application date： Jul. 26, 1994
Publication date： Jun. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】窒化珪素のLPCVD等比較的低い温度の堆積プロセスとの組み合わせで使用可能な、ウエハ表面から自然酸化物を除去する方法を提供することを目的とする。【構成】本発明によれば、約650°C〜約1025°Cのウエハ清浄化温度で充分な時間ウエハの上に少なくとも1つの非酸化ガスを通過させることによって、実質的に酸化剤種の存在しないチャンバ内に配備されたシリコンウエハ上から自然酸化物層をインシチュウ清浄化する方法が提供される。

Claim (excerpt)：

酸化剤種が実質的に存在しない真空チャンバ内に配備されたシリコンウエハの表面から自然酸化物をインシチュウ清浄化する方法であって、1025°C以下のウエハ清浄化温度で前記自然酸化物が除去されるに充分な長さの時間、少なくとも1つの還元ガスを前記自然酸化物の上に通過させるステップを含む清浄化の方法。

IPC (4)：

C01B 33/02 , H01L 21/3065 , H01L 21/306 , H01L 21/304 341

FI (2)：

H01L 21/302 N , H01L 21/302 P

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開平1-136342
特開平3-160720
特開平4-258115

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Cited by examiner (21)

特開平1-136342
特開平3-160720
特開平1-136342

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Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

Cited by examiner (2)

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