強誘電体メモリ装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：滝本智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995211941
Publication number (International publication number)：1997063281
Application date： Aug. 21, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【目的】強誘電体キャパシタの電界印加の影響を緩和し、強誘電体メモリ装置の誤動作を防止する。【構成】本体メモリセルキャパシタC0〜C255,C0B〜C255Bを、それぞれ複数の強誘電体キャパシタを直列に接続した構成とし、強誘電体キャパシタそれぞれに印加される電圧の大きさを低減した。【効果】本体メモリセルキャパシタC0〜C255,C0B〜C255Bの強誘電体キャパシタそれぞれにおける電界印加の影響が緩和され、強誘電体キャパシタの劣化を防止する。

Claim (excerpt)：

第1の強誘電体キャパシタと第2の強誘電体キャパシタとを備え、前記第1の強誘電体キャパシタは第1の電極および第2の電極を有し、前記第2の強誘電体キャパシタは第3の電極および第4の電極を有し、前記第2の電極と前記第3の電極とが接続され、前記第1の電極と前記第4の電極との間で構成される強誘電体キャパシタを有することを特徴とする強誘電体メモリ装置。

IPC (8)：

G11C 14/00 , G11C 11/22 , H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5)：

G11C 11/34 352 A , G11C 11/22 , H01L 27/10 451 , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

強誘電体メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-230314 Applicant：オリンパス光学工業株式会社
特開昭64-066897
特開昭63-201998

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