半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998124365
Publication number (International publication number)：1999317458
Application date： May. 07, 1998
Publication date： Nov. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】厚さが異なる2種以上のゲート絶縁膜を半導体基板上に設けている半導体集積回路装置において、そのゲート絶縁膜中の欠陥を低減する。【解決手段】半導体基板1s上に形成された結晶欠陥の少ないエピタキシャル層上に厚さの異なる2種以上のゲート絶縁膜16i1,16i2 を形成するようにした。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に素子形成のためのプロセスを経ることなくエピタキシャル法により半導体単結晶層を形成した後、その半導体単結晶層上に厚さの異なるゲート絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (2)：

H01L 27/08 102 Z , H01L 29/78 301 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平2-106962
特開平2-187063
特開平4-355959

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