絶縁ゲート形半導体素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997118709
Publication number (International publication number)：1998294461
Application date： Apr. 21, 1997
Publication date： Nov. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】絶縁ゲート形半導体素子におけるオン電圧の低下。【解決手段】伝導度変調効果を利用したIGBTにおいて次の構成とした。n-形ベース層12、p形ベース層13において、チャネル形成領域以外の領域において、p+ 形コレクタ層10から注入された少数キャリアのホールの流路を狭くし、高抵抗であるn- 形ベース層12におけるn+ 形エミッタ層14に近い領域に少数キャリアを蓄積させる電気的絶縁領域の埋め込み酸化膜19を形成した。これにより、コレクタ層10から注入されたホールがn- 形ベース層12に蓄積される。この結果、エミッタ層14に近い領域のベース層において、少数キャリア濃度が向上する結果、伝導度変調度が高くなり、オン電圧が低下する。

Claim (excerpt)：

伝導度変調効果を利用した絶縁ゲート形半導体素子において、前記素子中のベース領域のチャネル形成領域以外の領域において、コレクタから注入された少数キャリアの流路を狭くし、高抵抗ベース領域におけるエミッタに近い領域に前記少数キャリアを蓄積させる電気的絶縁領域を形成したことを特徴とする絶縁ゲート形半導体素子。

IPC (2)：

H01L 29/78 , H01L 29/74

FI (4)：

H01L 29/78 655 A , H01L 29/74 N , H01L 29/78 652 H , H01L 29/78 653 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

良好な導通特性を備えたMOS半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-157085 Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
絶縁ゲート型半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-021577 Applicant：三菱電機株式会社
縦型MISトランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-121465 Applicant：日本電装株式会社

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