良好な導通特性を備えたMOS半導体素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：矢野敏雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996157085
Publication number (International publication number)：1997008304
Application date： Jun. 18, 1996
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：

【要約】【課題】導通特性の優れたMOS半導体素子を提供すること。【解決手段】第1の導電性タイプのソース領域と、第2の導電性タイプのベース領域を有し、前記両領域はソース端子と一緒に接続され、共通のpn-接合部を有し、第1の導電性タイプのベース領域を有し、該ベース領域は第2の導電性タイプのベース領域を備えたpn-接合部を有し、ゲート電極を有し、該ゲート電極は酸化膜のみによって第1の導電性タイプのベース領域1と第2の導電性領域のベース領域から分離され、前記第1の導電性タイプのベース領域は、2つのベース領域の間の接合部がゲート酸化膜のすぐ近くでのみ生じるように、絶縁層によって第2の導電性タイプのベース領域から分離させるように構成する。

Claim (excerpt)：

第1の導電性タイプのソース領域(3)と、第2の導電性タイプのベース領域(2)を有し、前記両領域はソース端子(S)と一緒に接続され、共通のpn-接合部を有し、第1の導電性タイプのベース領域(1)を有し、該ベース領域(1)は第2の導電性タイプのベース領域を備えたpn-接合部(6,6′)を有し、ゲート電極(G,4)を有し、該ゲート電極は酸化膜(OX)のみによって第1の導電性タイプのベース領域1と第2の導電性領域のベース領域(2)から分離されており、前記第1の導電性タイプのベース領域(1)は、2つのベース領域(1,2)の間の接合部(6′)がゲート酸化膜(GOX)のすぐ近くでのみ形成されるように、絶縁層(7)によって第2の導電性タイプのベース領域(2)から分離されていることを特徴とする、MOS半導体素子。

FI (2)：

H01L 29/78 655 B , H01L 29/78 653 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

縦型MISトランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-121465 Applicant：日本電装株式会社
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-048957 Applicant：株式会社日立製作所
特開昭62-037965

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