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J-GLOBAL ID：200903018193293966

圧電体素子の製造方法

Inventor：
村井 正己

About 村井 正己


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (3)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002183512
Publication number (International publication number)：2004031524
Application date： Jun. 24, 2002
Publication date： Jan. 29, 2004
Summary：
【課題】目的とする良好な結晶性を得ることができ、かつ圧電特性の面内均一性を向上することのできる圧電体素子の製造方法を提供し、かかる均一性が向上した圧電体素子を提供する。【解決手段】有機金属化合物のゾル411”を塗布する工程(S3)と、有機金属化合物のゾルを乾燥させる工程及びこれを脱脂させる工程により有機金属化合物のゾルをゲル化させる工程(S4)と、このゲル化した有機金属化合物411’を結晶化させる工程(S5)と、を備えた圧電体層の形成工程を複数回行なって積層する(S6)。上記脱脂させる工程のうち、初回の脱脂時の昇温レートを、500°C/min以下として加熱する。【選択図】 図4
Claim (excerpt)：
基板上に下部電極を形成する工程と、この下部電極上に圧電体膜を形成する工程と、この圧電体膜上に上部電極を形成する工程とを備える圧電体素子の製造方法であって、 前記圧電体膜を形成する工程は、有機金属化合物のゾルを塗布する工程と、前記有機金属化合物のゾルを乾燥させる工程及びこれを脱脂させる工程により有機金属化合物のゾルをゲル化させる工程と、このゲル化した有機金属化合物を結晶化させる工程と、を備えた圧電体層の形成工程を複数回行なって積層するものであり、 前記脱脂させる工程のうち、初回の脱脂時の昇温レートを、500°C/min以下として加熱する、圧電体素子の製造方法。
IPC (6)：
H01L41/22 ,  B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  B41J2/16 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187
FI (7)：
H01L41/22 Z ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/18 101C ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/08 U ,  B41J3/04 103A ,  B41J3/04 103H
F-Term (6)：
2C057AF71 ,  2C057AF93 ,  2C057AG42 ,  2C057AG47 ,  2C057AP14 ,  2C057AP57
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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