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J-GLOBAL ID：200903066217127676

圧電体薄膜素子、及びその製造方法

Inventor： 角 浩二 ,  守谷 壮一
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 稲葉 良幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999112263
Publication number (International publication number)：2000307163
Application date： Apr. 20, 1999
Publication date： Nov. 02, 2000
Summary：

【要約】【解決課題】 耐電圧が向上した圧電体薄膜素子の提供。【解決手段】 圧電体薄膜素子の製造を複数の熱処理工程から行う。各工程の熱処理において、前段階までの熱処理工程の温度を越えないようにする。圧電体薄膜を構成する柱状結晶の粒界は、圧電体薄膜の厚さ方向に少なくとも一つの不連続面を有する。

Claim (excerpt)：

圧電体薄膜素子において、圧電体薄膜を構成する結晶間の結晶粒界が、当該薄膜の膜厚方向で不連続になるように形成されてなることを特徴とする圧電体薄膜素子。

IPC (4)：

H01L 41/09 ,  H01L 41/24 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055

FI (3)：

H01L 41/08 C ,  H01L 41/22 A ,  B41J 3/04 103 A

F-Term (16)：

2C057AF65 ,  2C057AF93 ,  2C057AG44 ,  2C057AG92 ,  2C057AG93 ,  2C057AP02 ,  2C057AP13 ,  2C057AP14 ,  2C057AP25 ,  2C057AP34 ,  2C057AP51 ,  2C057AP57 ,  2C057AP77 ,  2C057AQ02 ,  2C057BA04 ,  2C057BA13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 圧電体素子及びこれを用いたアクチュエータ並びにインクジェット式記録ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-021855   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 圧電体、強誘電体薄膜素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-258399   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 多層酸化物薄膜素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-311900   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• 強誘電体キャパシタ及び強誘電体メモリ装置と、これらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-215467   Applicant：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社