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J-GLOBAL ID：200903007085217348

圧電体膜及びこれを備えた圧電体素子

Inventor：
角 浩二

About 角 浩二


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 稲葉 良幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000273454
Publication number (International publication number)：2002084012
Application date： Sep. 08, 2000
Publication date： Mar. 22, 2002
Summary：
【要約】【課題】 粒径の大きな結晶粒を得ると共に、粒界に空隙が生じることを防止して膜の絶縁性および圧電特性を向上させた圧電体膜及びこれを用いた圧電体素子を提供する。【解決手段】 多結晶体で構成される圧電体膜において、粒径分布のピークを少なくとも2つ有し、前記2つのピークのうち大粒径側の結晶粒の粒径が1000nm以上、小粒径側のピークは10nm以上500nm以下である。これら結晶粒は柱状結晶であることが望ましい。膜厚方向の電気抵抗は1.0MΩ以上である。製造方法は、基板上に圧電体前駆体膜を形成し、この圧電体前駆体膜を結晶化させる工程を複数回繰り返すものであって、前記圧電体前駆体膜の形成時の前記工程1回あたりの膜厚は、結晶化後に基板全面を被覆しない厚さ(結晶化時に100nm以下)とする。
Claim (excerpt)：
多結晶体で構成される圧電体膜において、粒径分布のピークを少なくとも2つ有し、前記2つのピークのうち大粒径側の結晶粒の粒径が1000nm以上であることを特徴とする圧電体膜。
IPC (7)：
H01L 41/09 ,  B41J 2/16 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/22 ,  H01L 41/24
FI (9)：
H01L 41/08 C ,  B41J 3/04 103 H ,  B41J 3/04 103 A ,  H01L 41/08 U ,  H01L 41/18 101 B ,  H01L 41/18 101 C ,  H01L 41/18 101 D ,  H01L 41/22 Z ,  H01L 41/22 A
F-Term (13)：
2C057AF93 ,  2C057AG12 ,  2C057AG44 ,  2C057AG48 ,  2C057AP02 ,  2C057AP16 ,  2C057AP32 ,  2C057AP52 ,  2C057AP54 ,  2C057AP56 ,  2C057AP57 ,  2C057BA04 ,  2C057BA14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (11)
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