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J-GLOBAL ID：200903018213911165

ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法

Inventor：
咸 泳穆

About 咸 泳穆


Applicant, Patent owner：
現代電子産業株式会社

About 現代電子産業株式会社


Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995017126
Publication number (International publication number)：1995287387
Application date： Feb. 03, 1995
Publication date： Oct. 31, 1995
Summary：
【要約】【目的】 ハーフトーン型位相シフトマスクを用い感光膜パターンを形成する際、非露光領域で感光膜の一定厚さが露光し除去されるのを防止するために改良されたハーフトーン型位相シフトマスクを提供すること。【構成】 非露光領域には光遮断膜を形成し、露光領域と非露光領域の境界面に位相シフト膜パターンを形成し、その上部に光の透過率が5〜20%程度を有する光透過性膜パターンを備えている。これにより、非露光領域の感光膜パターンが、エッジ部分で薄くならないようになり、エッチングやイオン注入工程の際、下層の損傷が防がれ素子の工程収率及び信頼性が向上する。
Claim (excerpt)：
ハーフトーン型位相反転マスクにおいて、透明基板上の非露光領域には光遮断膜パターンが形成され、前記非露光領域と露光領域の境界部には、位相シフト膜パターンとハーフトーン光透過膜パターンが積層され、露光領域は、前記透明基板が露出していることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
IPC (2)：
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (2)：
H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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