半導体デバイス

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006178293
Publication number (International publication number)：2008010565
Application date： Jun. 28, 2006
Publication date： Jan. 17, 2008
Summary：

【課題】本発明は、複数の縦型有機トランジスタを用いた、インバータ特性を示す半導体デバイスを提供することを課題とする。【解決手段】第一の電極21と、第一の電極上21の第一の半導体層22、24と、第一の半導体層22、24上の第三の電極25と、第一の半導体層22、24の導電型と導電型が同一である第三の電極25上の第二の半導体層26、28と、第二の半導体層26、28に挿入された第五の電極29と、第一の半導体層22、24に挿入された第二の電極23と、第二の半導体層26、28中に挿入された第四の電極27とを有することを特徴とする半導体デバイス。【選択図】図6

Claim (excerpt)：

第一の電極と、前記第一の電極上の第一の半導体層と、前記第一の半導体層上の第三の電極と、前記第一の半導体層の導電型と導電型が同一である前記第三の電極上の第二の半導体層と、前記第二の半導体層上の第五の電極と、前記第一の半導体層に挿入された第二の電極と、前記第二の半導体層に挿入された第四の電極とを有することを特徴とする半導体デバイス。

IPC (5)：

H01L 29/80 , H01L 21/28 , H01L 29/41 , H01L 27/095 , H01L 51/05

FI (6)：

H01L29/80 V , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R , H01L29/44 P , H01L29/80 E , H01L29/28 100A

F-Term (29)：

4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104FF11 , 4M104GG14 , 5F102FB01 , 5F102GA02 , 5F102GB06 , 5F102GC05 , 5F102GC08 , 5F102GD01 , 5F102GJ09 , 5F102GJ10 , 5F102GL01 , 5F102GM01 , 5F102GS03 , 5F102GS10 , 5F102GT02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

縦型有機トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-125877 Applicant：株式会社リコー
半導体装置及び半導体集積回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-133536 Applicant：富士通株式会社
特開昭58-035981

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