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J-GLOBAL ID：200903018253527481

プラズマ処理装置

Inventor：
秋元 健司

About 秋元 健司


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995057848
Publication number (International publication number)：1996255785
Application date： Mar. 17, 1995
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：
【要約】【目的】平行平板型のプラズマ処理装置において、大きな面積をもつ被処理基板28の複数枚を同時に均一にプラズマ処理きるように図る。【構成】一つのチャンバ11に対し、複数台の試料台2a〜2dと、上部電極5のマイクロ波放射口8を通して被処理基板28のそれぞれにマイクロ波を放出する複数の誘電体線路部材1a〜1dと、空間部のそれぞれににプロセスガスを供給するガス導入部9a〜9dと、一つの真空ポンプ7の前段に配設されガス圧を調節する圧力調整部6と、各試料台に高周波電力を印加する複数の高周波電源とを設け、各空間部のプロセスガス圧、マイクロ波放出強度および各試料台へ印加する高周波電力を独立して制御できるようにしている。
Claim (excerpt)：
チャンバ内に配設され複数のマイクロ波放射口を有する平板状の上部電極と、この上部電極の背面側に配置されマイクロ波を導入し該上部電極のマイクロ波放射口を通して前記チャンバ内に該マイクロ波を放出する複数の板状の誘電体線路部材と、前記上部電極と対向し配置されるとともに前記誘電体線路部材のそれぞれに対応する被処理基板の複数を載置する複数の下部電極をなす試料台と、これら下部電極と前記上部電極との間の空間部のそれぞれに独立してプロセスガスを導入する複数のプロセスガス導入手段と、前記下部電極のそれぞれに接続される複数の高周波電源と、前記チャンバを真空排気する真空ポンプの前段に配設されるとともに導入された該プロセスガスの圧力を一定に維持するガス圧調整機構とを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4)：
H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205
FI (4)：
H01L 21/302 C ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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