半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：尾身祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997016191
Publication number (International publication number)：1998022390
Application date： Jan. 30, 1997
Publication date： Jan. 23, 1998
Summary：

【要約】【目的】高アスペクト比のコンタクト孔を埋め込むことができるようにする。CVD法によるTiN膜、Ti膜に剥離が発生することのないようにする。【構成】シリコン基板1上に層間絶縁膜であるBPSG膜2を形成し、その上にスパッタ法により第1のTiN(又はTi)膜3を形成する〔(a)図〕。フォトレジスト膜4を形成し、これをマスクにコンタクト孔を形成する〔(b)図〕。プラズマCVD法によりTi膜5を、熱CVD法により第2のTiN膜6を形成する〔(c)図〕。エッチバックを行って、BPSG膜上のTiN膜、Ti膜を除去した後、BPSG膜上にAl配線(図示なし)を形成する。【効果】スパッタ法によるTiN膜3は、シリコン酸化膜に対する密着性が高くかつ圧縮応力が働くように形成することができるため、CVD法TiN膜6の引っ張り応力を緩和して、TiN膜6の剥離を防止することができる。

Claim (excerpt)：

(1)素子が形成された半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、(2)前記層間絶縁膜上にスパッタリング法により第1のTiN膜を形成する工程と、(3)少なくとも所定の領域の前記層間絶縁膜を選択的にエッチング除去して下層の導電体層を露出させるコンタクトホールおよび/またはスルーホールを形成する工程と、(4)化学気相成長法により全面に第2のTiN膜を堆積してコンタクトホールおよび/またはスルーホール内を第2のTiN膜により埋め込む工程と、(5)少なくとも前記コンタクトホールおよび/またはスルーホール内のTiNを残し、不要の第1および第2のTiN膜をエッチング除去する工程と、を含み、この順で若しくは前記第(2)の工程と前記第(3)の工程との順序を入れ替えて行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 301

FI (2)：

H01L 21/90 D , H01L 21/28 301 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開平1-300544
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-323923 Applicant：三菱電機株式会社
埋込みプラグの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-137921 Applicant：ソニー株式会社

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