Pat
J-GLOBAL ID：200903018371164288

表示装置

Inventor：
木村 肇

About 木村 肇


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006327979
Publication number (International publication number)：2007122072
Application date： Dec. 05, 2006
Publication date： May. 17, 2007
Summary：
【課題】発光装置において、発光素子に電流を供給するTFTのしきい値が画素ごとにばらつくことによって生ずる輝度ムラが、発光装置の画質向上の足かせとなっていた。【解決手段】容量手段109に、TFT106のしきい値に等しい電圧を保持しておき、映像信号をソース信号線から入力する際に、前記容量手段にて保持している電圧を上乗せしてTFT106のゲート電極に印加する。画素ごとにしきい値がばらついている場合にも、それぞれのしきい値を画素ごとの容量手段109が保持するため、しきい値ばらつきの影響をなくすことが可能となる。さらに、しきい値の保存は、容量手段109のみによって行われ、映像信号の書き込み時において電荷の移動がなく、両電極間の電圧が変化しないため、容量値のばらつきは影響しない。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
第1のトランジスタと、 前記第1のトランジスタと直列に接続され、画素電極に電気的に接続された第2のトランジスタと、 前記第1のトランジスタのソース又はドレインとゲートとの電気的接続を制御する第3のトランジスタと、 第1の電極が前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続された容量素子と、 ソース又はドレインの一方が前記容量素子の第2の電極に電気的に接続された第4のトランジスタとを有することを特徴とする表示装置。
IPC (4)：
G09G 3/30 ,  G09G 3/20 ,  G09F 9/30 ,  H01L 51/50
FI (5)：
G09G3/30 J ,  G09G3/20 624B ,  G09G3/20 611H ,  G09F9/30 338 ,  H05B33/14 A
F-Term (29)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB08 ,  3K107CC33 ,  3K107EE03 ,  3K107HH04 ,  3K107HH05 ,  5C080AA06 ,  5C080BB05 ,  5C080DD05 ,  5C080EE29 ,  5C080FF11 ,  5C080HH09 ,  5C080JJ02 ,  5C080JJ03 ,  5C080JJ04 ,  5C080JJ06 ,  5C080KK01 ,  5C080KK07 ,  5C080KK43 ,  5C080KK47 ,  5C094AA03 ,  5C094AA22 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094DB04 ,  5C094HA08 ,  5C094HA10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 米国特許第6229506号明細書
Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
  • ASIA DISPLAY / IDW'01, 20011016, V. CONF. 21/8, P1395-1398
  • ASIA DISPLAY / IDW'01, 20011016, V. CONF. 21/8, P1395-1398
  • A Polysilicon Active Matrix Organic Light Emitting Diode Display with Integrated Drivers
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