Pat
J-GLOBAL ID:200903060070157428
半導体装置およびその駆動方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002310168
Publication number (International publication number):2003202834
Application date: Oct. 24, 2002
Publication date: Jul. 18, 2003
Summary:
【要約】【課題】 発光装置において、発光素子に電流を供給するTFTのしきい値が画素ごとにばらつくことによって生ずる輝度ムラが、発光装置の画質向上の足かせとなっていた。【解決手段】 容量手段109に、TFT106のしきい値に等しい電圧を保持しておき、映像信号をソース信号線から入力する際に、前記容量手段にて保持している電圧を上乗せしてTFT106のゲート電極に印加する。画素ごとにしきい値がばらついている場合にも、それぞれのしきい値を画素ごとの容量手段109が保持するため、しきい値ばらつきの影響をなくすことが可能となる。さらに、しきい値の保存は、容量手段109のみによって行われ、映像信号の書き込み時において電荷の移動がなく、両電極間の電圧が変化しないため、容量値のばらつきは影響しない。
Claim (excerpt):
電流供給線と、第1乃至第3のトランジスタと、容量手段とを有し前記容量手段の第1の電極は、前記第1のトランジスタのゲート電極および、前記第2のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、前記第2のトランジスタの第2の電極は、前記第1のトランジスタの第1の電極および、前記第3のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、第1の期間において、前記第2、第3のトランジスタが導通して、前記第1、第2のトランジスタを介して前記容量手段に電荷を蓄積し、第2の期間において、前記第3のトランジスタが非導通となり、前記第2のトランジスタが導通して、前記容量手段に保持される電圧を、前記第1のトランジスタのしきい値電圧に等しくし、第3の期間において、前記第2、第3のトランジスタが非導通となり、前記容量手段の第2の電極より、映像信号が入力され、第4の期間において、前記第2のトランジスタが非導通となり、前記第3のトランジスタが導通して、前記第1、第3のトランジスタのソース・ドレイン間を電流が流れることを特徴とする半導体装置。
IPC (8):
G09G 3/30
, G09F 9/30 338
, G09G 3/20 611
, G09G 3/20 624
, G09G 3/20 641
, G09G 3/20 642
, H01L 29/786
, H05B 33/14
FI (8):
G09G 3/30 J
, G09F 9/30 338
, G09G 3/20 611 H
, G09G 3/20 624 B
, G09G 3/20 641 D
, G09G 3/20 642 A
, H05B 33/14 A
, H01L 29/78 614
F-Term (97):
3K007AB17
, 3K007BA06
, 3K007DB03
, 3K007GA00
, 3K007GA04
, 5C080AA06
, 5C080BB05
, 5C080DD05
, 5C080EE28
, 5C080FF11
, 5C080JJ02
, 5C080JJ03
, 5C080JJ04
, 5C080JJ06
, 5C094AA03
, 5C094AA53
, 5C094BA03
, 5C094BA27
, 5C094CA19
, 5C094DB04
, 5C094FB19
, 5C094HA08
, 5F110AA30
, 5F110BB02
, 5F110BB04
, 5F110CC02
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD15
, 5F110DD17
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE09
, 5F110EE23
, 5F110EE44
, 5F110FF02
, 5F110FF04
, 5F110FF09
, 5F110FF28
, 5F110FF30
, 5F110FF36
, 5F110GG01
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG14
, 5F110GG15
, 5F110GG25
, 5F110GG32
, 5F110GG43
, 5F110GG45
, 5F110GG47
, 5F110GG51
, 5F110HJ01
, 5F110HJ04
, 5F110HJ12
, 5F110HJ13
, 5F110HJ23
, 5F110HL03
, 5F110HL04
, 5F110HL07
, 5F110HL12
, 5F110HL23
, 5F110HM15
, 5F110HM18
, 5F110NN03
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN34
, 5F110NN35
, 5F110NN36
, 5F110NN71
, 5F110NN73
, 5F110PP01
, 5F110PP02
, 5F110PP03
, 5F110PP04
, 5F110PP05
, 5F110PP06
, 5F110PP10
, 5F110PP34
, 5F110PP35
, 5F110QQ04
, 5F110QQ09
, 5F110QQ19
, 5F110QQ23
, 5F110QQ24
, 5F110QQ25
, 5F110QQ28
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (4)
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アクティブマトリックス発光ダイオードピクセル構造及び方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平10-546378
Applicant:サーノフコーポレイション
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電流駆動型表示パネルの駆動方法、駆動回路及び表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-291594
Applicant:松下電器産業株式会社
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表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-268656
Applicant:株式会社東芝
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表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2006-327979
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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Article cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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ASIA DISPLAY / IDW'01, 20011016, V. CONF. 21/8, P1395-1398
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ASIA DISPLAY / IDW'01, 20011016, V. CONF. 21/8, P1395-1398
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A Polysilicon Active Matrix Organic Light Emitting Diode Display with Integrated Drivers
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Design of an Improved Pixel for a Polysilicon Active-Matrix Organic LED Display
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The Impact of the Transient Response of Organic Light Emitting Diodes on the Design of Active Matrix
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