Pat
J-GLOBAL ID:200903060070157428

半導体装置およびその駆動方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002310168
Publication number (International publication number):2003202834
Application date: Oct. 24, 2002
Publication date: Jul. 18, 2003
Summary:
【要約】【課題】 発光装置において、発光素子に電流を供給するTFTのしきい値が画素ごとにばらつくことによって生ずる輝度ムラが、発光装置の画質向上の足かせとなっていた。【解決手段】 容量手段109に、TFT106のしきい値に等しい電圧を保持しておき、映像信号をソース信号線から入力する際に、前記容量手段にて保持している電圧を上乗せしてTFT106のゲート電極に印加する。画素ごとにしきい値がばらついている場合にも、それぞれのしきい値を画素ごとの容量手段109が保持するため、しきい値ばらつきの影響をなくすことが可能となる。さらに、しきい値の保存は、容量手段109のみによって行われ、映像信号の書き込み時において電荷の移動がなく、両電極間の電圧が変化しないため、容量値のばらつきは影響しない。
Claim (excerpt):
電流供給線と、第1乃至第3のトランジスタと、容量手段とを有し前記容量手段の第1の電極は、前記第1のトランジスタのゲート電極および、前記第2のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、前記第2のトランジスタの第2の電極は、前記第1のトランジスタの第1の電極および、前記第3のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、第1の期間において、前記第2、第3のトランジスタが導通して、前記第1、第2のトランジスタを介して前記容量手段に電荷を蓄積し、第2の期間において、前記第3のトランジスタが非導通となり、前記第2のトランジスタが導通して、前記容量手段に保持される電圧を、前記第1のトランジスタのしきい値電圧に等しくし、第3の期間において、前記第2、第3のトランジスタが非導通となり、前記容量手段の第2の電極より、映像信号が入力され、第4の期間において、前記第2のトランジスタが非導通となり、前記第3のトランジスタが導通して、前記第1、第3のトランジスタのソース・ドレイン間を電流が流れることを特徴とする半導体装置。
IPC (8):
G09G 3/30 ,  G09F 9/30 338 ,  G09G 3/20 611 ,  G09G 3/20 624 ,  G09G 3/20 641 ,  G09G 3/20 642 ,  H01L 29/786 ,  H05B 33/14
FI (8):
G09G 3/30 J ,  G09F 9/30 338 ,  G09G 3/20 611 H ,  G09G 3/20 624 B ,  G09G 3/20 641 D ,  G09G 3/20 642 A ,  H05B 33/14 A ,  H01L 29/78 614
F-Term (97):
3K007AB17 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  3K007GA04 ,  5C080AA06 ,  5C080BB05 ,  5C080DD05 ,  5C080EE28 ,  5C080FF11 ,  5C080JJ02 ,  5C080JJ03 ,  5C080JJ04 ,  5C080JJ06 ,  5C094AA03 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094DB04 ,  5C094FB19 ,  5C094HA08 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE23 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG51 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110HM18 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN71 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • 米国特許第6229506号明細書
Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
  • ASIA DISPLAY / IDW'01, 20011016, V. CONF. 21/8, P1395-1398
  • ASIA DISPLAY / IDW'01, 20011016, V. CONF. 21/8, P1395-1398
  • A Polysilicon Active Matrix Organic Light Emitting Diode Display with Integrated Drivers
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