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J-GLOBAL ID：200903018383509752

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 外園 明 ,  稲葉 聡
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (4)： 平田 忠雄 ,  角田 賢二 ,  中村 恵子 ,  遠藤 和光
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007072949
Publication number (International publication number)：2008235568
Application date： Mar. 20, 2007
Publication date： Oct. 02, 2008
Summary：

【課題】ハロー領域により短チャネル効果を抑制し、且つ接合リーク電流の発生や接合容量の増加を抑制することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置は、Si基板と、前記Si基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記Si基板の前記ゲート電極の下方に形成されたチャネル領域と、前記チャネル領域を挟んで形成されたソース・ドレイン領域と、前記チャネル領域を挟んで形成され、導電型不純物を含まない第1のエピタキシャル成長結晶からなるエピタキシャル層と、前記チャネル領域と前記エピタキシャル層の間に形成され、導電型不純物を含む第2のエピタキシャル成長結晶からなる、前記ソース・ドレイン領域と異なる導電型のハロー領域と、を有する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

Si基板と、 前記Si基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、 前記Si基板の前記ゲート電極の下方に形成されたチャネル領域と、 前記チャネル領域を挟んで形成されたソース・ドレイン領域と、 前記チャネル領域を挟んで形成され、導電型不純物を含まない第1のエピタキシャル成長結晶からなるエピタキシャル層と、 前記チャネル領域と前記エピタキシャル層の間に形成され、導電型不純物を含む第2のエピタキシャル成長結晶からなる、前記ソース・ドレイン領域と異なる導電型のハロー領域と、 を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092

FI (2)：

H01L29/78 301S ,  H01L27/08 321E

F-Term (74)：

5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BC05 ,  5F048BC06 ,  5F048BD04 ,  5F048BF06 ,  5F048BF16 ,  5F048BF17 ,  5F048BG07 ,  5F048BG14 ,  5F048DA24 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA28 ,  5F048DA30 ,  5F140AA12 ,  5F140AA21 ,  5F140AA24 ,  5F140AB03 ,  5F140AC28 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BC17 ,  5F140BD04 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BF09 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG34 ,  5F140BG44 ,  5F140BG45 ,  5F140BG49 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH05 ,  5F140BH06 ,  5F140BH14 ,  5F140BH27 ,  5F140BH35 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ09 ,  5F140BJ26 ,  5F140BK09 ,  5F140BK13 ,  5F140BK18 ,  5F140BK26 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140BK38 ,  5F140BK39 ,  5F140CB04 ,  5F140CC03 ,  5F140CC07 ,  5F140CC08 ,  5F140CC15 ,  5F140CE07 ,  5F140CF04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 米国特許第6,743,684号明細書
  

Cited by examiner (8)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-108093   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-217571   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-162134   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-138749   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-099203   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-001804   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-140001   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平3-046276