Pat
J-GLOBAL ID：200903018397903810

半導体ヘテロ接合材料

Inventor：
堀川 俊治

About 堀川 俊治


Applicant, Patent owner：
昭和電工株式会社

About 昭和電工株式会社


Agent (1)： 矢口 平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995068297
Publication number (International publication number)：1996139360
Application date： Mar. 27, 1995
Publication date： May. 31, 1996
Summary：
【要約】【目的】 半導体ヘテロ接合に伴うヘテロ障壁の形成を抑制する。【構成】 GaAsとAlGaInP、GaAsとAlInP、GaAlAsとAlGaInP、GaAlAsとAlInPの組み合わせからなるヘテロ接合部に於いて、その中間にAlGaInPAsからなる層を中間層として挿入する。また、中間層内で元素の構成比率を変化させる。【効果】 大きなバンド不連続性に伴うヘテロ障壁の発生が回避され、LEDにあっては、順方向電圧が低減される。
Claim (excerpt)：
構成する元素の一部若しくは全てを異にする、三種類の半導体を順次積層した構造のヘテロ接合部を含む材料であって、該ヘテロ接合部をなす三種類の半導体層のうちの中間の層が、AlGaInPAsであり、他の二層の半導体がGaAsとAlGaInPであることを特徴とする半導体ヘテロ接合材料。
IPC (4)：
H01L 33/00 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (17)
  • 特開平3-276687
  • 特開平4-039986
  • 半導体発光装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-346603   Applicant：富士通株式会社
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM