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J-GLOBAL ID:200903018403535194

半導体素子の検査方法およびそのための異方導電性フィルム

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高島 一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999023128
Publication number (International publication number):2000221209
Application date: Jan. 29, 1999
Publication date: Aug. 11, 2000
Summary:
【要約】【課題】 狭ピッチ化した電極を有する半導体素子に対しても、低い接触荷重で接続信頼性の高い機能検査を可能とする検査方法と、そのための異方導電性フィルムを提供すること。【解決手段】 本発明の異方導電性フィルム1を、半導体素子2と回路基板3との間に挟んで接触荷重Fを加え、素子2と基板3とを機能検査可能に導通させ、素子の1つの電極あたりの接触荷重を3〜50gfとした状態で素子の機能検査を行なう。異方導電性フィルム1は、絶縁性樹脂からなるフィルム基板中に、全長60〜500μmの導通路が、フィルム基板の両面から突起した状態で、複数設けられた構造を有するものとし、その弾性率を、25〜150°Cにおいて0.1〜1.0GPaとする。これによって、検査時の異方導電性フィルムの変位量は5〜30μmとなる。
Claim (excerpt):
絶縁性樹脂からなるフィルム基板中に、導電性材料からなる全長60〜500μmの導通路が、互いに絶縁された状態で、かつ該フィルム基板を厚み方向に貫通した状態で、かつ該フィルム基板の両面から突起した状態で、複数設けられた構造を有し、構造全体の弾性率が、25〜150°Cにおいて0.1〜1.0GPaである異方導電性フィルムを用い、この異方導電性フィルムを、半導体素子と回路基板との間に挟んで接触荷重を加え、半導体素子と回路基板とを機能検査可能に導通させ、半導体素子の1つの電極あたりの接触荷重を3〜50gfとした状態で半導体素子の機能検査を行なうことを特徴とする半導体素子の検査方法。
IPC (6):
G01R 1/06 ,  G01R 1/073 ,  G01R 31/26 ,  H01B 5/16 ,  H01L 21/66 ,  H01R 11/01
FI (6):
G01R 1/06 A ,  G01R 1/073 F ,  G01R 31/26 J ,  H01B 5/16 ,  H01L 21/66 B ,  H01R 11/01 A
F-Term (20):
2G003AA07 ,  2G003AG03 ,  2G003AG07 ,  2G003AG12 ,  2G003AH07 ,  2G011AA16 ,  2G011AB06 ,  2G011AB08 ,  2G011AC14 ,  2G011AE03 ,  2G011AF04 ,  4M106AA01 ,  4M106BA01 ,  4M106CA70 ,  4M106DD03 ,  4M106DD04 ,  4M106DD30 ,  5G307HA02 ,  5G307HB03 ,  5G307HC01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
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