絶縁膜形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：北村欣一 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998205490
Publication number (International publication number)：2000038664
Application date： Jul. 21, 1998
Publication date： Feb. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】高周波バイアススパッタリングにより絶縁耐圧の良い絶縁膜を基板に成膜すること【解決手段】真空排気した真空室1内にスパッタリング用ガスを導入し、該真空室内に対向して配置した基板4と絶縁膜材料のターゲット5とに位相をずらした高周波電圧を印加して該基板とターゲット間に放電を発生させ、該基板に該ターゲットの成分を含む絶縁膜を形成する方法に於いて、該位相のずれをターゲットに対する基板の位相を遅れさせて生じさせた。その位相の遅れを120度以下もしくは240度以上とすることで該絶縁膜の絶縁耐圧が向上する。

Claim (excerpt)：

真空排気した真空室内にスパッタリング用ガスを導入し、該真空室内に対向して配置した基板と絶縁膜材料のターゲットとに位相をずらした高周波電圧を印加して該基板とターゲット間に放電を発生させ、該基板に該ターゲットの成分を含む絶縁膜を形成する方法に於いて、該位相のずれをターゲットに対する基板の位相を遅れさせて生じさせたことを特徴とする絶縁膜形成方法。

IPC (2)：

C23C 14/34 , H01L 21/31

FI (4)：

C23C 14/34 S , C23C 14/34 A , C23C 14/34 R , H01L 21/31 D

F-Term (31)：

4K029AA06 , 4K029BA42 , 4K029BA43 , 4K029BA44 , 4K029BA46 , 4K029BA48 , 4K029BA55 , 4K029BA56 , 4K029BA58 , 4K029BA60 , 4K029BC05 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029DC05 , 4K029DC35 , 4K029EA05 , 4K029EA09 , 5F045AA19 , 5F045AB31 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB34 , 5F045AC11 , 5F045AC14 , 5F045AC16 , 5F045AE17 , 5F045AF03 , 5F045BB16 , 5F045DC61 , 5F045DP02 , 5F045DQ10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

酸化膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-282141 Applicant：リードライト・エスエムアイ株式会社
特開昭59-205477
窒化シリコン膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-194428 Applicant：日本電気株式会社

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