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J-GLOBAL ID:200903018452321922
位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスク
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
中村 静男 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997030679
Publication number (International publication number):1997244218
Application date: Dec. 22, 1993
Publication date: Sep. 19, 1997
Summary:
【要約】【課題】 簡単な膜構成により電子線描画時の電荷蓄積や静電気による帯電を防止できるハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びこれを素材としたハーフトーン型位相シフトマスクを提供する。【解決手段】 酸素および/または窒素を含む雰囲気中で、遷移金属とケイ素とを原子比で30:1〜1:20の割合で含むターゲットをスパッタリングして、透明基板上に、遷移金属とケイ素と酸素および/または窒素を主な構成要素とする光半透過膜を形成してなるハーフトーン型位相シフトマスクブランク、およびこの位相シフトマスクブランクにおける光半透過膜に、光透過部と光半透過部とからなるマスクパターンを形成してなるハーフトーン型位相シフトマスク。
Claim (excerpt):
透明基板上に光半透過膜を有し、この光半透過膜が、遷移金属とケイ素と酸素および/または窒素とを主な構成要素とし、かつ酸素および/または窒素を含む雰囲気中において、遷移金属とケイ素とを原子比30:1〜1:20の割合で含有するターゲットをスパッタリングすることにより形成されたものであることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
IPC (3):
G03F 1/08
, G03F 1/14
, H01L 21/027
FI (4):
G03F 1/08 A
, G03F 1/14 G
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにその位相シフトマスクを用いた露光方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-285327
Applicant:アルバック成膜株式会社, 三菱電機株式会社
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露光用マスクとその製造方法及び製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-304186
Applicant:株式会社東芝
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特開平4-162039
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特開平2-210250
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特開平4-223464
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露光用マスク及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-089589
Applicant:株式会社東芝
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特開平4-162039
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特開平2-210250
-
特開平4-223464
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