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J-GLOBAL ID：200903018470953316

半導体装置、半導体装置の製造方法、表示装置及び表示装置の製造方法

Inventor： 平野 貴一 ,  曽谷 直哉 ,  山路 敏文 ,  森本 佳宏 ,  米田 清
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995199979
Publication number (International publication number)：1997051099
Application date： Aug. 04, 1995
Publication date： Feb. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】 特性にバラツキが少ない薄膜トランジスタなどの半導体装置を提供すること。【解決手段】 ガラス基板1上にWSi2膜2を形成し、このWSi2膜2をパターニングし、その上をSi酸化膜3で覆い、Si酸化膜3の上に多結晶Si膜4を形成し、この多結晶Si膜4の上に、ゲート絶縁膜5を介してゲート電極6を形成し、多結晶Si膜4に、ソース/ドレイン領域9となる不純物領域を形成し、この不純物領域をRTA法により熱処理して活性化する。WSi2膜2は、RTAの熱を吸収する作用があり、多結晶Si膜4を、RTAによる熱とWSi2膜2からの放射熱により、直接及び間接的に加熱することにより、多結晶Si膜4全体を均一に加熱し、不純物の活性化がバラツクことなく良好に行われるようにする。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された熱吸収膜と、この熱吸収膜の上に形成された半導体膜と、この半導体膜の上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記半導体膜に形成された不純物領域とを具備したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/336 ,  C23F 4/00

FI (6)：

H01L 29/78 626 C ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/26 L ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 薄膜半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-154127   Applicant：三洋電機株式会社
• 液晶表示パネル及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-218584   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 特開平2-194626