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J-GLOBAL ID:200903018498751891

高周波増幅器

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 宮田 金雄 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996044864
Publication number (International publication number):1997238001
Application date: Mar. 01, 1996
Publication date: Sep. 09, 1997
Summary:
【要約】【課題】 増幅器において、バイアス回路からRG信号と変調信号を漏らし、他の機器で影響を与えないようにすることと、バイアス回路の線路の長さを無試験で決定できるようにするのが課題である。【解決手段】 増幅器において長さλ/4のオープンスタブとRFショート作用のコンデンサを1/8波長以上の長さの伝送線路に対してインピーダンスの高い線路によって接続するバイアス回路を備える。
Claim (excerpt):
電界効果トランジスタと、このトランジスタのゲート端子及びドレイン端子に直流バイアスを印加するバイアス回路と、上記トランジスタのゲート端子と伝送線路によってつながり入力信号を受ける入力回路と、上記ドレイン端子に伝送線路によってつながる出力回路を有する高周波増幅器において、上記バイアス回路をオープンスタブとRF信号ショート用のコンデンサを上記伝送線路に対し高いインピーダンスの線路によって互いに接続して構成したことを特徴とする高周波増幅器。
IPC (2):
H01P 1/00 ,  H03F 3/60
FI (2):
H01P 1/00 Z ,  H03F 3/60
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (11)
  • 特開平4-280110
  • マイクロ波半導体装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-102781   Applicant:フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
  • 特開平4-043701
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