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J-GLOBAL ID：200903018499350785

電子放出装置

Inventor： 杉野 隆 ,  楠原 昌樹 ,  梅田 優
Applicant, Patent owner： 杉野 隆 ,  株式会社渡邊商行
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000199489
Publication number (International publication number)：2002015659
Application date： Jun. 30, 2000
Publication date： Jan. 18, 2002
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、尖塔形状を作製する複雑なプロセスを排除し、窒化ホウ素薄膜が有する問題を解消して付着性を向上させ、低電圧で動作する電子放出装置を提供する。【解決手段】 表面に凹凸を有する基板または半導体基板(シリコン基板1、窒化ガリウム層2)上に電気的に接続してホウ素(組成比x)、炭素(組成比y)、窒素(組成比z)を含む組成比が0≦x<1、0≦y≦1、0≦z<1の窒化ホウ素炭素薄膜3が設けられ、窒化ホウ素炭素薄膜3に電気的に絶縁して第1の金属体(SiO<SB>X</SB>薄膜4、引き出し電極5)が設けられ、窒化ホウ素炭素薄膜3に対向して第1の金属体と空間をもって第2の金属体(アノード電極7)を設けた。

Claim (excerpt)：

表面に凹凸を有する基板または半導体基板上に電気的に接続してホウ素(組成比x)、炭素(組成比y)、窒素(組成比z)を含む組成比が0≦x<1、0≦y≦1、0≦z<1の薄膜が設けられ、前記薄膜に電気的に絶縁して第1の金属体が設けられ、前記薄膜に対向して前記第1の金属体と空間をもって第2の金属体を設けたことを特徴とする電子放出装置。

IPC (2)：

H01J 1/304 ,  H01J 1/30

FI (2)：

H01J 1/30 F ,  H01J 1/30 A

F-Term (1)：

5C035BB03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 電子放出素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-009911   Applicant：松下電器産業株式会社
• 電界放出型陰極
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-062318   Applicant：新日本無線株式会社
• 電子放出素子および画像表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-251976   Applicant：松下電器産業株式会社