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J-GLOBAL ID:200903029102239435

電子放出素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997009911
Publication number (International publication number):1998208618
Application date: Jan. 23, 1997
Publication date: Aug. 07, 1998
Summary:
【要約】【課題】 表面が熱的、化学的に安定で電子放出効率の高い電子放出素子を構成する電子放出素子を実現する。【解決手段】 気相合成方法により、4族又は3族元素と窒素との化合物で、マイクロチップ形成基板または表面が平坦な基板1上に電子放出素子表面層4を形成し、望ましくは低仕事関数材料を形成し、表面の安定性に優れた電子放出素子を得る。この電子放出素子を陰極、対向側に基板上に透明電極、蛍光体薄膜からなる陽極基板を配置し、陰極と陽極との間に所定電圧を印加すると、電子エミッタ部の電子放出素子表面層から真空中に電子が放出され、加速された電子は蛍光体薄膜に到達し、電子が蛍光体薄膜に衝突することにより、蛍光体薄膜が発光するものである。これにより電界放出型ディスプレイを構成できる。
Claim (excerpt):
電子を放出するエミッタ部を備えた電子放出素子において、前記エミッタ部表面層の主成分が4族元素と窒素との化合物により構成されていることを特長とする電子放出素子。
IPC (2):
H01J 1/30 ,  H01J 9/02
FI (2):
H01J 1/30 F ,  H01J 9/02 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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