半導体装置の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：岡本啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002161874
Publication number (International publication number)：2003142580
Application date： Jun. 03, 2002
Publication date： May. 16, 2003
Summary：

【要約】【課題】銅(Cu)配線層の突起の発生を防止してCuの拡散を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板40の上方に形成された銅(Cu)配線層44の表面をアンモニアガス、窒素と水素との混合ガス、CF4ガス、C2F6ガス及びNF3ガスの群から選択されるガスのプラズマに曝す工程と、銅(Cu)配線層44の表面をアンモニアガス、エチレンジアミンガス、β-ジケトンガス、アンモニアガスと炭化水素系ガス(CXHY)との混合ガス及び窒素ガスと炭化水素系ガス(CXHY)との混合ガスの群から選択されるガスの雰囲気又はプラズマに曝す工程と、銅(Cu)配線層44の上にCu拡散防止絶縁膜46を形成する工程とを有する

Claim (excerpt)：

半導体基板の上方に形成された銅(Cu)膜を主とする配線層上にシリコン含有絶縁膜を形成する工程と、前記シリコン含有絶縁膜を炭化水素系ガス(CXHY)の雰囲気又はプラズマに曝す工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/768 , H01L 21/31 , H01L 21/318 , H01L 21/3205

FI (4)：

H01L 21/31 C , H01L 21/318 B , H01L 21/90 P , H01L 21/88 M

F-Term (55)：

5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH31 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033KK11 , 5F033KK21 , 5F033KK31 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033QQ00 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ60 , 5F033QQ61 , 5F033QQ73 , 5F033QQ94 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033SS01 , 5F033SS15 , 5F033XX24 , 5F033XX27 , 5F033XX28 , 5F045AA08 , 5F045AB33 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AE21 , 5F045AF03 , 5F045BB14 , 5F045CB05 , 5F045DP03 , 5F045EF05 , 5F045EH14 , 5F045EH20 , 5F058BA05 , 5F058BC08 , 5F058BE04 , 5F058BF07 , 5F058BF22 , 5F058BF27 , 5F058BF30 , 5F058BF37 , 5F058BF39 , 5F058BG02 , 5F058BH16 , 5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-191804 Applicant：富士通株式会社
配線形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-145734 Applicant：株式会社リコー
配線構造およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-131182 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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