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J-GLOBAL ID：200903017066361700
半導体装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000373612
Publication number (International publication number)：2001230407
Application date： Dec. 07, 2000
Publication date： Aug. 24, 2001
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 窒化ガリウム系半導体による電界効果トランジスタのリーク電流を低減し、耐圧特性を改善出来る半導体装置を提供する。【解決手段】 基板101と基板101の上に形成された表面がGa原子のc面であるGaNを含むバッファ層102と、バッファ層102の上に形成された表面がGa又はIn原子のc面であるGaN又はInGaNを含むチャネル層103と、チャネル層103の上に形成された表面がAl又はGa原子のc面であるAlGaNを含む電子供給層104と、電子供給層104の上に形成されたソース電極106ドレイン電極108と、ソース電極106、ドレイン電極108の間に形成されたGa又はIn原子のc面であるGaN又はInGaAlNを含むキャップ層105と、キャップ層105に接するように形成されたゲート電極を備える。
Claim (excerpt)：
基板と、該基板の上に形成されたGaNを含むバッファ層であって、該バッファ層の表面がGa原子のc面である、バッファ層と、該バッファ層の上に形成されたGaNまたはInGaNを含むチャネル層であって、該チャネル層の表面がGaまたはIn原子のc面である、チャネル層と、該チャネル層の上に形成されたAlGaNを含む電子供給層であって、該電子供給層の表面がAlまたはGa原子のc面である、電子供給層と、該電子供給層の上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、該ソース電極と該ドレイン電極との間に形成されたGaNまたはInGaAlNを含むキャップ層であって、該キャップ層の表面はGaまたはIn原子のc面であり、該キャップ層の少なくとも一部が該電子供給層に接する、キャップ層と、少なくとも一部が該キャップ層に接するように形成されたゲート電極と、を備えた半導体装置。
IPC (3)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
Cited by examiner (5)
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電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-103002
Applicant：古河電気工業株式会社
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ヘテロ接合電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-142221
Applicant：ソニー株式会社
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ヘテロ接合電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-104609
Applicant：ソニー株式会社
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高移動度トランジスタ
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-057069
Applicant：古河電気工業株式会社
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電界効果型トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-225077
Applicant：ソニー株式会社
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