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J-GLOBAL ID：200903018601838771

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 原田 ▲真▼名
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997161042
Publication number (International publication number)：1999008399
Application date： Jun. 18, 1997
Publication date： Jan. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】 耐圧の向上が図られ、逆回復電流の低減が図られる半導体装置とその製造方法とを提供する。【解決手段】 n- 基板1の一方の表面に複数のpアノード領域5が形成されている。各pアノード領域5の領域内に溝4が形成されている。アノードメタル電極9とpアノード領域5との間にはオーミック接合領域7bが形成されている。pアノード領域5は、オーミック接合領域7b近傍にて、高々オーミック接触可能な最低の不純物濃度を有している。また、n- 基板1の他方の表面には、n+カソード領域3を介在させてカソードメタル電極11が形成されている。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の第1主表面に選択的に形成された複数の溝部と、少なくとも各前記溝部の底面に接し、各前記溝部よりも深く形成された複数の第2導電型の不純物領域と、前記半導体基板の前記第1主表面上に形成された第1電極層とを備え、前記第1電極層と前記半導体基板の第1導電型の領域とは、前記第1主表面にてショットキー接合をなし、前記第1電極層と前記不純物領域とは、所定の接合面にてオーミック接触をなし、各前記不純物領域は、前記所定の接合面近傍において、前記第1電極層とオーミック接触可能な最も低い不純物濃度を有し、前記所定の接合面近傍以外では、前記オーミック接触可能な最も低い不純物濃度よりもさらに低い不純物濃度を有する、半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/872 ,  H01L 29/861

FI (2)：

H01L 29/48 F ,  H01L 29/91 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-057163   Applicant：新電元工業株式会社
• 特開平4-321274
  
• 整流用半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-250531   Applicant：新電元工業株式会社
• 特開平3-024767