超電導磁場発生装置及びそれを用いたスパッタリング成膜装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大川宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003304668
Publication number (International publication number)：2005079158
Application date： Aug. 28, 2003
Publication date： Mar. 24, 2005
Summary：

【課題】超電導体を効果的に冷却でき、更に、着磁に必要な機器(超電導マグネット、着磁コイル、パルス電源等)が小型で済み、強力な磁場を発生できるコンパクトな磁極を持った高性能な超電導磁石装置とそれによるスパッタリング成膜装置を提供する。【解決手段】超電導磁場発生装置1は、超電導遷移温度以下に冷却され外部に磁場を発する超電導体2と、超電導体2を冷却する冷却部33を有する冷却装置3と、超電導体2を冷却部33に保持する冷却取付部材4と、超電導体2及び冷却取付部材4を収容する断熱容器5とを有する。冷却取付部材4は、超電導体2を側面25から固定する側面固定部40を有する。超電導磁場発生装置1はスパッタリング成膜装置等に適用できる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

超電導遷移温度以下に冷却され外部に磁場を発する超電導体と、前記超電導体を冷却する冷却部を有する冷却装置と、前記超電導体を前記冷却装置の前記冷却部に保持する冷却取付部材と、前記超電導体及び前記冷却取付部材を収容する断熱容器とを具備する超電導磁場発生装置において、前記冷却取付部材は、前記超電導体を側面から固定する側面固定部を具備していることを特徴とする超電導磁場発生装置。

IPC (1)：

H01F6/00

FI (1)：

H01F7/22 Z

F-Term (3)：

4K029DC39 , 4K029DC42 , 4K029DC43

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

超電導磁石装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-100306 Applicant：株式会社イムラ材料開発研究所
超電導磁石装置及び超電導体の着磁方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-243551 Applicant：株式会社イムラ材料開発研究所
超電導マグネトロンスパッタ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-249146 Applicant：アイシン精機株式会社

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Cited by examiner (6)

超電導体の着磁装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-355299 Applicant：株式会社イムラ材料開発研究所
超電導磁石装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-100306 Applicant：株式会社イムラ材料開発研究所
超電導磁気浮上式鉄道用高温超電導バルクマグネット
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-211529 Applicant：財団法人鉄道総合技術研究所

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