超電導マグネトロンスパッタ装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋祥泰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996249146
Publication number (International publication number)：1998072667
Application date： Aug. 30, 1996
Publication date： Mar. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】強力な磁場を発生することができ,かつターゲット表面の水平方向の磁場強度を向上して,成膜速度に優れた,超電導マグネトロンスパッタ装置を提供すること。【解決手段】マグネトロンスパッタガン10の上にターゲット53に薄膜を形成するための基板530を対向配置し,それらを収容した真空チャンバー5内において上記基板53の表面にターゲット物質を被着形成するスパッタ装置である。マグネトロンスパッタガン10は,ヨーク3の一部に配設した超電導バルク1と,着磁コイル2と,上記超電導バルク1を超電導臨界温度以下に冷却する冷却手段とよりなる。上記着磁コイル2にパルス電流を加えて上記超電導バルク1に磁場を捕捉させ,この磁場をターゲット53表面に導いてスパッタリングを行なう。

Claim (excerpt)：

マグネトロンスパッタガンの上にターゲットを配置すると共に該ターゲットの上に薄膜を形成するための基板を対向配置し,これらを収容した真空チャンバー内をスパッタガス雰囲気にした状態で,上記基板の表面にターゲット物質を被着形成するスパッタ装置において,上記マグネトロンスパッタガンは,内部磁路を形成するための磁極鉄芯材料よりなるヨークと,該ヨークの一部に配設した超電導バルクと,該超電導バルクを着磁させるための着磁コイルと,上記超電導バルクを超電導臨界温度以下に冷却する冷却手段とよりなり,上記着磁コイルにパルス電流を加えて上記超電導バルクに磁場を捕捉させ,この磁場をターゲット表面に導いてスパッタリングを行なうよう構成したことを特徴とする超電導マグネトロンスパッタ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開昭58-189372
超電導体の着磁装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-355299 Applicant：株式会社イムラ材料開発研究所
特開昭64-052067

Show all

Return to Previous Page