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J-GLOBAL ID：200903095189845983

マグネトロンスパッタリング装置およびマグネトロンスパッタリングによる薄膜形成方法

Inventor： 岡 徹雄 ,  伊藤 佳孝 ,  柳 陽介 ,  吉川 雅章 ,  水谷 宇一郎 ,  生田 博志
Applicant, Patent owner： アイシン精機株式会社
Agent (1)： 大川 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000338503
Publication number (International publication number)：2002146529
Application date： Nov. 07, 2000
Publication date： May. 22, 2002
Summary：

【要約】【課題】 成膜速度が大きく、また、特性に優れた薄膜を形成することのできるマグネトロンスパッタリング装置およびマグネトロンスパッタリングによる薄膜形成方法を提供する。【解決手段】 マグネトロンスパッタリング装置およびマグネトロンスパッタリングによる薄膜形成方法を、磁極11にバルク超伝導体を着磁して得られる超伝導磁極を用い、2つの磁極11を離間対向して配置し、その磁極間に、それぞれの磁極11の有する磁力の相互作用による強い磁場を作り出し、この磁場中に薄膜原料を含むターゲット20を存置させてスパッタリングを行うように構成する。強くかつ広い分布を有する磁場を形成することが容易で、その磁場の中にターゲットを置くことで、スパッタリングに適したプラズマをターゲットの表面に効果的に集中させることがでる。その結果、成膜速度が大きく、また、特性に優れた薄膜を形成することができる。

Claim (excerpt)：

薄膜原料を含んでなるターゲットを磁場中に配置し、その磁場の作用でターゲット表面にプラズマを集中させてスパッタリングを行い、放出される薄膜原料を基材表面に被着させて薄膜を形成するマグネトロンスパッタリング装置であって、ターゲットを挟んでそれぞれ配設され対向する2つの磁極を有し、その磁極の少なくとも1つはバルク超伝導体を着磁して得られる超伝導磁極であることを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置。

IPC (3)：

C23C 14/35 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ZAA

FI (3)：

C23C 14/35 ZAA E ,  C01G 1/00 S ,  C01G 3/00 ZAA

F-Term (12)：

4G047JA03 ,  4G047JB03 ,  4G047JC02 ,  4G047KE05 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC32 ,  4K029DC40 ,  4K029DC42 ,  4K029DC43 ,  4K029DC46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭64-055379
  
• 超電導マグネトロンスパッタ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-249146   Applicant：アイシン精機株式会社
• 直流マグネトロン型反応性スパッタ法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-032190   Applicant：中外炉工業株式会社