蛍石単結晶の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997070982
Publication number (International publication number)：1998265296
Application date： Mar. 25, 1997
Publication date： Oct. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】エキシマレーザーステッパーの光学系にも使用可能な、高度な光学性能を有する大口径の蛍石単結晶が得られる蛍石単結晶の製造方法を提供すること【解決手段】底部に種子結晶を収納し、その上に蛍石原料を収納したルツボを、前記種子結晶及び蛍石原料の融点前後にわたる温度勾配を有する結晶成長炉の中で垂直に降下させることにより、前記種子結晶及び蛍石原料を融解させて融液を形成するとともに、前記底部から前記融液を順次固化させて蛍石単結晶を成長させる、垂直ブリッジマン法による蛍石単結晶の製造方法において、(111)結晶面を表面(または断面)に有する種子結晶を使用して、種付けから連続成長を進行させることにより、インゴット全体を単結晶として成長させることを特徴とする蛍石単結晶の製造方法。

Claim (excerpt)：

底部に種子結晶を収納し、その上に蛍石原料を収納したルツボを、前記種子結晶及び蛍石原料の融点前後にわたる温度勾配を有する結晶成長炉の中で垂直に降下させることにより、前記種子結晶及び蛍石原料を融解させて融液を形成するとともに、前記底部から前記融液を順次固化させて蛍石単結晶を成長させる、垂直ブリッジマン法による蛍石単結晶の製造方法において、(111)結晶面を表面(または断面)に有する種子結晶を使用して、種付けから連続成長を進行させることにより、インゴット全体を単結晶として成長させることを特徴とする蛍石単結晶の製造方法。

IPC (4)：

C30B 29/12 , C30B 11/00 , G02B 1/02 , H01L 21/027

FI (4)：

C30B 29/12 , C30B 11/00 Z , G02B 1/02 , H01L 21/30 515 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

化合物半導体単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-329774 Applicant：株式会社日鉱共石
特開平4-349198
特開昭64-037500

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