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J-GLOBAL ID：200903018651431427

接合体の製造方法

Inventor：
辻村 好彦

About 辻村 好彦

, 
岩元 豪

About 岩元 豪

, 
吉野 信行

About 吉野 信行


Applicant, Patent owner：
電気化学工業株式会社

About 電気化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002091017
Publication number (International publication number)：2003286086
Application date： Mar. 28, 2002
Publication date： Oct. 07, 2003
Summary：
【要約】【課題】セラミックス基板と金属箔からなる接合体の生産性を高めること。【解決手段】窒化アルミニウム製又は窒化ケイ素製のセラミックス基板の表面又は表裏面に、AlとCuを主成分とするろう材合金箔を挟んでAl製又はAl合金製の金属箔を配置して積層体となし、それを非酸化性雰囲気の高温下に保持された接合炉に搬入し、該接合炉内で、ろう材合金箔の溶融温度以上に加熱されたロールで加圧しながら接合することを特徴とする、セラミックス基板と金属箔からなる接合体の製造方法。この場合において、ロールによる加圧を、接合炉の雰囲気温度620〜650°Cの領域で行い、その圧力を2MPa以上、搬送速度を0.1〜10mm/secとすることが好ましい。
Claim (excerpt)：
窒化アルミニウム製又は窒化ケイ素製のセラミックス基板の表面又は表裏面に、AlとCuを主成分とするろう材合金箔を挟んでAl製又はAl合金製の金属箔を配置して積層体となし、それを非酸化性雰囲気の高温下に保持された接合炉に搬入し、ろう材合金箔の溶融温度以上に加熱されたロールで加圧しながら接合することを特徴とする、セラミックス基板と金属箔からなる接合体の製造方法。
IPC (7)：
C04B 37/02 ,  B23K 1/00 ,  B23K 1/19 ,  B23K 3/06 ,  B23K 31/02 310 ,  H05K 3/00 ,  B23K101:42
FI (7)：
C04B 37/02 B ,  B23K 1/00 K ,  B23K 1/19 B ,  B23K 3/06 G ,  B23K 31/02 310 B ,  H05K 3/00 R ,  B23K101:42
F-Term (10)：
4G026BA16 ,  4G026BA17 ,  4G026BB27 ,  4G026BF17 ,  4G026BF20 ,  4G026BF42 ,  4G026BG03 ,  4G026BG06 ,  4G026BG25 ,  4G026BH07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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