Pat

J-GLOBAL ID：200903018686606785

レーザ面の作成方法および装置

Inventor： クリスチヤン・ブルウエ ,  ドミニク・ボコン-ジボ ,  シルベヌ・ケルブフ
Applicant, Patent owner： アルカテル・アルストム・コンパニイ・ジエネラル・デレクトリシテ
Agent (1)： 川口 義雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996331193
Publication number (International publication number)：1997199809
Application date： Dec. 11, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】 安価な面の作成方法を実現し、過度に低い酸素分圧を得る必要なしに充分に低い酸素割合を得るために、充分に速く不動態化材料の堆積が可能な不動態化方法を選択し、最良の結果が得られる操作条件を定義する。【解決手段】 1.レーザ面を開ける操作と、2.10-7ないし10-8mbar程度の圧力の容器中に入れた前記レーザ面に、パルスレーザの照射によりクリーニング段階を施す操作と、3.同じパルスレーザを使用して、レーザアブラッションと呼ばれる方法によってケイ素Siまたは窒化ガリウムGaNの堆積により、前記面に、2ないし20オングストロームの厚さが得られるまで、パッシベーション操作を施す操作とを含むことを特徴とするIII-IV族を主成分とするレーザ、とりわけGaAs/GaAlAsポンプレーザ面の作成方法。

Claim (excerpt)：

1.レーザ面を開く操作と、2.10-7ないし10-8mbar程度の圧力の容器中に入れた前記レーザ面に、パルスレーザの照射によりクリーニング段階を施す操作と、3.同じパルスレーザを使用して、レーザアブラッションと呼ばれる方法によってケイ素Siまたは窒化ガリウムGaNの堆積により、前記面に、2ないし20オングストロームの厚さが得られるまで、パッシベーション操作を施す操作とを含むことを特徴とするIII-IV族を主成分とするレーザ面の作成方法。

IPC (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/304 341

FI (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 21/304 341 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-061356
  
• レーザ・アブレーション装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-127494   Applicant：株式会社東芝
• レーザ薄膜形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-345584   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開平3-061356