化合物半導体基板

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997324968
Publication number (International publication number)：1999163399
Application date： Nov. 26, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：

【要約】【課題】シリコン基板上に化合物半導体層を形成した場合、この化合物半導体層の結晶性が損なわれ、またこの化合物半導体層の高抵抗化を図ることができないという問題があった。【解決手段】周期表第IV族の単一元素から成る基板上に、周期表第III-V族の元素から成る化合物半導体層を前記基板に連続してエピタキシャル成長させた化合物半導体基板において、前記化合物半導体層が周期表第II、IV、またはVI族の元素の少なくとも一種を、その原子濃度が前記基板との界面側で1×1017atoms・cm-3以上となり、且つ表面側で1×1017atoms・cm-3以下となるような勾配を有して含有する。

Claim (excerpt)：

周期表第IV族の単一元素から成る基板上に、周期表第III-V族の元素から成る化合物半導体層を前記基板に連続してエピタキシャル成長させた化合物半導体基板において、前記化合物半導体層が周期表第II、IV、またはVI族の元素の少なくとも一種を、その原子濃度が前記基板との界面側で1×1017atoms・cm-3以上となり、且つ上層側で1×1017atoms・cm-3以下となるような勾配を有して含有することを特徴とする化合物半導体基板。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01S 3/18

FI (3)：

H01L 33/00 A , H01L 21/205 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

化合物半導体基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-061360 Applicant：新日本製鐵株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-157219 Applicant：日亜化学工業株式会社

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