セラミック基板の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999073963
Publication number (International publication number)：2000269011
Application date： Mar. 18, 1999
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】ヒートショックにおける急冷温度や、マザー基板への切り込み溝深さを限定して、工程が簡略なセラミック基板の製造方法を提供する。【解決手段】厚みに対して30〜70%の切り込み溝を有するマザー基板を、焼成後の冷却過程において、急冷開始温度120°C以上から急冷し、個々のセラミック基板に分割する。

Claim (excerpt)：

セラミック焼結体からなり、表面に切り込み溝が形成されたマザー基板を、120°C以上から急冷することにより、前記切り込み溝にそって分割することを特徴とするセラミック基板の製造方法。

IPC (4)：

H01C 17/06 , B28D 5/00 , H05K 3/00 , H01C 7/02

FI (4)：

H01C 17/06 V , B28D 5/00 Z , H05K 3/00 J , H01C 7/02

F-Term (12)：

3C069AA03 , 3C069BA04 , 3C069BB04 , 3C069CA03 , 3C069EA01 , 5E032BA23 , 5E032BB09 , 5E032CC03 , 5E032CC08 , 5E034AB01 , 5E034DE12 , 5E034DE17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭58-168214
半導体装置の製造方法及びそれに用いるダイシング治具
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-051458 Applicant：日本電装株式会社
特開平3-291184

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