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J-GLOBAL ID：200903018772807068

アクティブマトリクス型液晶表示装置

Inventor： 花澤 康行 ,  山本 佳世 ,  伊月 義治 ,  北沢 倫子 ,  永山 耕平 ,  中里 雅弘 ,  竹林 希佐子 ,  飯塚 哲也
Applicant, Patent owner： 東芝電子エンジニアリング株式会社 ,  株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996251962
Publication number (International publication number)：1998096949
Application date： Sep. 24, 1996
Publication date： Apr. 14, 1998
Summary：

【要約】【課題】 画素の開口率を向上させて、低い消費電力で良好な表示性能が得られるアクティブマトリクス型液晶表示装置を構成することを目的とする。【解決手段】 アクティブマトリクス型液晶表示装置において、蓄積容量線15上に薄膜トランジスタ7 の遮光性材料からなるソース電極35に電気的に接続された導電部材38を絶縁膜16を介して設け、画素電極10を蓄積容量線上の層間絶縁膜9を貫通するコンタクトホール18を介して導電部材に接続し、この導電部材を介してソース電極に接続した。

Claim (excerpt)：

絶縁基板面上に複数個の薄膜トランジスタ、複数本の蓄積容量線および互いに交差する方向に複数本の走査線と複数本の信号線が設けられ、これら薄膜トランジスタ、蓄積容量線、走査線および信号線上に少なくとも層間絶縁膜が形成され、この層間絶縁膜を介して上記走査線と信号線とにより区画された領域に画素電極が設けられてなるアレイ基板を備えるアクティブマトリクス型液晶表示装置において、上記蓄積容量線上には上記薄膜トランジスタの遮光性材料からなるソース電極に電気的に接続された導電部材が絶縁膜を介して設けられ、上記画素電極が上記蓄積容量線上の層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを介して上記導電部材に接続され、この導電部材を介して上記ソース電極に接続されていることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• TFTマトリクスの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-276412   Applicant：富士通株式会社
• 特開平4-335617
  
• アクティブマトリックス液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-089809   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 液晶表示パネル基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-232712   Applicant：富士通株式会社
• 透過型液晶表示装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-211779   Applicant：シャープ株式会社
• 特開平4-335617