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J-GLOBAL ID：200903018788241927

熱電素子およびその製造方法

Inventor：
山田 一清

About 山田 一清

, 
伊藤 勝平

About 伊藤 勝平


Applicant, Patent owner：
モリックス株式会社

About モリックス株式会社

, 
セイコー精機株式会社

About セイコー精機株式会社


Agent (1)： 杉山 猛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998222564
Publication number (International publication number)：2000058930
Application date： Aug. 06, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：
【要約】【課題】 両側スケルトン構造または片側スケルトン構造の熱電素子において、この熱電素子と組み合わせて使用する放熱または吸熱用金属部材に熱良導性電気絶縁薄膜を個別に設けることを不要にする。【解決手段】 熱電素子は、p型熱電半導体素子2Pおよびn型熱電半導体素子2Nと、p型熱電半導体素子2Pおよびn型熱電半導体素子2Nの上面に接合された上側電極4と、p型熱電半導体素子2Pおよびn型熱電半導体素子2Nの下面に接合された下側電極3と、上側電極4に接合された上側熱良導性電気絶縁薄膜6と、下側電極3に接合された下側熱良導性電気絶縁薄膜5とから構成されている。この熱電素子を使用する際には、熱良導性電気絶縁薄膜5,6を介して放熱または吸熱用金属部材を取り付ける。したがって、放熱または吸熱用金属部材に個別に熱良導性電気絶縁薄膜を形成する必要はない。
Claim (excerpt)：
p型熱電半導体素子およびn型熱電半導体素子と、前記p型熱電半導体素子および前記n型熱電半導体素子の第1の面に接合された第1の金属電極と、前記p型熱電半導体素子および前記n型熱電半導体素子の第2の面に接合された第2の金属電極と、前記第1の金属電極または前記第2の金属電極の少なくとも一方に接合された熱良導性電気絶縁薄膜とを備えることを特徴とする熱電素子。
IPC (3)：
H01L 35/32 ,  G01K 7/02 ,  H01L 35/30
FI (3)：
H01L 35/32 A ,  G01K 7/02 A ,  H01L 35/30
F-Term (4)：
2F056KA01 ,  2F056KA05 ,  2F056KA11 ,  2F056KA18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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