Pat
J-GLOBAL ID：200903018789498603
高電子移動度トランジスタ
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
平田 忠雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996070644
Publication number (International publication number)：1997260643
Application date： Mar. 26, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：
【要約】【課題】 キャリア供給層上に設けるゲート電極金属とキャリア供給層のGaInPの界面制御が困難であり、界面でのショットキー接合特性がHEMTのデバイス特性悪影響を及ぼし、デバイス特性を低下させている。【解決手段】 半絶縁性GaAs基板101上にバッファ層102、チャネル層103(アンドープInGaAs層)、スペーサ層104を順次積層し、このスペーサ層104上にキャリア供給層(n型GaInP層)105を設け、更に界面制御用n型Al0.22Ga0.78As層106及びコンタクト層(n型GaAs層)107を順次積層してウェハを形成する。n型Al0.22In0.49P層106によって、n型GaInPによるキャリア供給層に対するショットキー接合特性の劣化が阻止され、GaInP系材料を用いたデバイスの特性改善が可能になる。
Claim (excerpt)：
GaAs基板上に形成したInGaAsによるチャネル層と、前記チャネル層上に形成したn型GaInPによるキャリア供給層と、前記キャリア供給層上に形成した界面制御用AlGaAs層と、前記界面制御用AlGaAs層上に形成したGaAsによるコンタクト層と、前記コンタクト層の一部を除去して前記界面制御用AlGaAs層上に設けたゲート電極と、前記コンタクト層の表面の所定の位置に設けたソース電極及びドレイン電極とを具備することを特徴とする高電子移動度トランジスタ。
IPC (4)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 29/872
H01L 29/80 H
, H01L 29/48 F
Cited by examiner (2)
-
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-032711
Applicant：富士通株式会社
-
電界効果トランジスタとその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-306923
Applicant：富士通株式会社
Return to Previous Page
