Pat

J-GLOBAL ID：200903018808680167

マイクロエミッタ電極の製造方法およびマイクロエミッタ装置

Inventor： 栗 原 一 彰 ,  関 根 誠 ,  堀 岡 啓 治
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994326312
Publication number (International publication number)：1996185794
Application date： Dec. 27, 1994
Publication date： Jul. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】 電子を放出するためのマイクロエミッタ電極の集積度を向上すると共に、これらを個々に制御して微細領域での電子放出を可能にする。【構成】 シリコン基板11上に複数のテーパ状のトレンチ13を形成するプロセスと、トレンチ13に金属14を堆積するプロセスと、金属14の上およびシリコン基板11上に絶縁物15を形成するプロセスと、シリコン基板11をエッチングして、トレンチ13に堆積された金属14の少なくとも1部を露出させて電極16とするプロセスと、によりマイクロエミッタ電極を製造する。

Claim (excerpt)：

基板に複数の先端の尖ったトレンチを形成する工程と、前記トレンチ内に電極材料を堆積する工程と、前記電極材料上に電極支持層を形成する工程と、前記基板をエッチングして、前記トレンチに堆積された電極材料の少なくとも1部を露出させてマイクロエミッタ電極とする工程と、を備えることを特徴とするマイクロエミッタ電極の製造方法。

IPC (2)：

H01J 9/02 ,  H01J 1/30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 電界放出陰極の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-059219   Applicant：三菱電機株式会社
• 電子ビーム装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-189281   Applicant：富士通株式会社
• 特表平5-502545