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J-GLOBAL ID:200903018848762662
X線マスク
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
山川 政樹
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996282181
Publication number (International publication number):1998125583
Application date: Oct. 24, 1996
Publication date: May. 15, 1998
Summary:
【要約】【課題】 X線マスクにおける欠陥発生を抑制できるようにすることを目的とする。【解決手段】 メンブレン2表面にはSiO2 からなる厚さ10〜100nm程度の保護膜3が形成され、この上に厚さ10〜50nmの触媒膜4が形成されている。保護膜4は、触媒膜5とメンブレン2との接触面における相互拡散や、メンブレン2からのナトリウムイオンの拡散を防いでいる。また、触媒膜4は、2酸化チタンからなり光触媒作用を有している。
Claim (excerpt):
X線を透過する基板と、前記基板表面に形成されたX線を吸収する材料からなるマスクパタンとからなり、前記マスクパタンによるX線像を被露光面に転写するためのX線マスクにおいて、前記基板表面の少なくとも露出している面に形成された光触媒作用を有する触媒膜を備えたことを特徴とするX線マスク。
IPC (2):
FI (2):
H01L 21/30 531 M
, G03F 1/16 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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X線露光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-295457
Applicant:株式会社ニコン
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特開昭63-086435
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光露光システム
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-266048
Applicant:日本電信電話株式会社
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紫外線照射装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-195706
Applicant:株式会社ニコン
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